在LED生产过程中，GaN通常是以蓝宝石上生长外延，其价格较高。目前，日本松下称研发出了在石墨板上生长Gan的结晶薄膜技术。
这项技术的原理如下：首先，在石墨底板表面进行等离子处理，使表面粗化。然后通过有机金属气相生长法（MOCVD）在底板上层积Al和N、形成氮化铝（AlN）层。最后在氮化铝层上形成GaN结晶薄膜。
外延片等技术在LED行业中属高端技术，目前只为国际几家大公司所掌握。希望我国能加快相关技术的研发。
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